YLN04-0812C1
主要特性
n 工作频率 : 8 GHz 到 12 GHz
n 单电源结构
n 噪声系数 : 1.1 dB
n 增益 > 32 dB
n 增益平坦度 : +/- 0.8dB
n 输出 P1dB: 10 dBm
n OIP3 : 20dBm
n 输入回波损耗 : 12 dB
n 输出回波损耗: 12 dB Power
n 电源: 55 mA @ 5 V
n 芯片尺寸 = 2.4 mm x 1.56mm
描述
YLN04-0812C1是一款高性能GaAs单极供电低噪声放大器MMIC，主要用于X 波段。
YLN04-0812C1 具有超低噪声系数1.1 dB，其最小增益为32 dB。芯片上的匹配提供优于12 dB的输入和输出回波损耗。主要用于雷达、通信和仪器仪表应用。
该芯片采用130nm砷化镓pHEMT工艺制造；采用金线键合焊盘、背面金属化、氮化硅钝化层，芯片拥有最高级别可靠性，满足航天级应用。
应用领域
n 雷达
n 通信
n 仪器仪表
